A plasma basato a fluorocarburo del gas C4F6 99,995% di elevata purezza che incide gas incolore

Elevata purezza C4F6 gas99.995%, uso in ad incisione basata a fluorocarburo del plasma

Descrizione:

Gas che incidere a secco HFB, C4F6 si è sviluppato in Russia. C4F6 permette incisione asciutta ad una linea larghezza di stretto quanto 90 nanometro o di meno. È quindi indispensabile per il sistema di elaborazione LSIs ed i dispositivi di memoria ad alta velocità e di grande capacità che sempre più sono utilizzati in apparecchi elettrici digitali e nei display a cristalli liquidi.

I gas del fluorocarburo sono ampiamente usati per l'elaborazione del film di ossido del silicio. Rispetto a octafluorocyclobutane (C4F8) attualmente usato per l'elaborazione alla linea una larghezza di 130 nanometro, C4F6 presenta i seguenti vantaggi:

allungamento 1.High, con conseguente scanalature strette e profonde (adatte ad elaborazione alla linea larghezza molto stretta)

selettività 2.High (assicura incisione del film di ossido del silicio soltanto; non colpisce il photoresist, il substrato di silicio o il film del nitruro)

MISURE DI ESTINZIONE DI INCENDIO

MISURE DI PRONTO SOCCORSO

Applicazioni:

1.C4F6 può usare come gas filmogeni organometallici,

2. Il gas di HFB (C4F6) può usare come agenti di sgrassatura, gas di scappamento che elabora gli impianti di lavaggio