Luogo di origine: | La Cina |
---|---|
Marca: | Newradar Gas |
Certificazione: | ISO/DOT/GB |
Numero di modello: | N/A |
Quantità di ordine minimo: | 1PCS |
Prezzo: | Negoziabile |
Imballaggi particolari: | Cilindro imballato di in10L-50L o imballato secondo le richieste. |
Tempi di consegna: | 25 giorni lavorativi dopo aver ricevuto il pagamento |
Termini di pagamento: | L/C, T/T, Western Union, MoneyGram |
Capacità di alimentazione: | 500 pc al mese |
Rifornimento di carburante: | Miscugli di gas dell'argon, del neon e del fluoro | Nome del prodotto: | Miscele del fluoruro dell'argon |
---|---|---|---|
Formula chimica: | ArF | Applicazione: | Laser a eccimeri |
Densità: | sconosciuto | Massa molare: | 59,954 g/mol |
Evidenziare: | miscugli di gas del laser,gas naturale dei msds |
Miscele di gas premiscelate Argon Fluoruro, Miscele di gas ArF per litografia a 193nm
Descrizione:
L'applicazione industriale più diffusa dei laser ad eccimeri ArF è stata nella fotolitografia a ultravioletti profondi per la produzione di dispositivi microelettronici. Dagli anni '60 fino alla metà degli anni '80, le lampade Hg-Xe erano state utilizzate per la litografia a lunghezze d'onda di 436, 405 e 365 nm. Tuttavia, con la necessità dell'industria dei semiconduttori di una risoluzione più fine e di una maggiore produttività, gli strumenti di litografia basati su lampade non erano più in grado di soddisfare i requisiti del settore.
Questa sfida è stata superata quando, in uno sviluppo pionieristico nel 1982, la litografia laser a eccimeri a UV profondo è stata inventata e dimostrata presso IBM da K. Jain. Con i fenomenali progressi compiuti nella tecnologia delle apparecchiature negli ultimi due decenni, oggi i dispositivi elettronici a semiconduttore fabbricati utilizzando la litografia laser a eccimeri ammontano a 400 miliardi di dollari di produzione annua. Di conseguenza, l'industria dei semiconduttori ritiene che la litografia laser a eccimeri sia stata un fattore cruciale nel continuo progresso della cosiddetta legge di Moore.
Da una prospettiva scientifica e tecnologica ancora più ampia, dall'invenzione del laser nel 1960, lo sviluppo della litografia laser a eccimeri è stato evidenziato come una delle principali pietre miliari nella storia cinquantennale del laser.
Specifiche:
1. Proprietà fisiche
Prodotto | Gas Argon Fluoruro |
Formula molecolare | ArF |
Fase | Gas |
Colore |
Incolore |
Classe di pericolo per il trasporto | 2.2 |
2. Dati tecnici tipici (COA)
Componenti principali | |||
COMPONENTI | CONCENTRAZIONE | INTERVALLO | |
Fluoro | 1.0% | 0.9-1.0% | |
Argon | 3.5% | 3.4-3.6% | |
Neon | Resto | ||
Impurità massime | |||
COMPONENTE | CONCENTRAZIONE (ppmv) | ||
Anidride carbonica (CO2) | <5.0 | ||
Monossido di carbonio (CO) | <1.0 | ||
Tetrafluoruro di carbonio (CF4) | <2.0 | ||
Fluoruro di carbonile (COF2) | <2.0 | ||
Elio (He) | <8.0 | ||
Umidità (H2O) | <25.0 | ||
Azoto (N2) | <25.0 | ||
Trifluoruro di azoto (NF3) | <1.0 | ||
Ossigeno (O2) | <25.0 | ||
Tetrafluoruro di silicio (SiF4) | <2.0 | ||
Esafluoruro di zolfo (SF6) | <1.0 | ||
THC (come Metano) (CH4) | <1.0 | ||
Xenon (Xe) | <10.0 |
3. Confezione
Specifiche del cilindro | Contenuto | Pressione | ||||
Cilindro | Opzioni di uscita valvola | Piedi cubi | Litri | PSIG | BAR | |
1 | CGA679 | DISS 728 | 265 | 7500 | 2000 | 139 |
2 | CGA679 | DISS 728 | 212 | 6000 | 2000 | 139 |
3 | CGA679 | DISS 728 | 71 | 2000 | 1800 | 125 |
Applicazioni:
Le miscele di Argon Fluoruro sono utilizzate in applicazioni di litografia a 193 nm, solitamente in combinazione con una miscela di gas inerti.