Gas elettronici C4F6 per gli apparecchi elettrici di Digital/Crystal Displays liquido

Gas C4F6 utilizzato in apparecchi elettrici digitali e nei display a cristalli liquidi

Descrizione:

Nella molecola C4F6 la C: Il rapporto F è abbastanza alto regolare il livello del polimero sulla superficie della camera e sulla superficie del wafer riguardo ai radicali incisione di F. Più importante è, che la caratteristica intrinseca permette l'alta selettività ai substrati o la foto resista a e trattate per esempio C4F8 confrontato più ampie finestre (Octafluorobutane). Questo comportamento è particolarmente utile da rispondere all'esigenza del sottomarino i requisiti di 0,25 m.

Nel usando l'argon come la selettività del nitruro del gas inerte può provocare una funzione diminuente. Xeno poichè l'altro gas inerte possibile ha una selettività aumentata. Di conseguenza le miscele da Ar/Xe sono un buon compromesso.

Mercati & applicazioni

INFORMAZIONI TOSSICOLOGICHE

Applicazioni:

1. C4F6 è suggerito per l'uso in plasma, raggio ionico o farfuglia incisione nella fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore.

2. Specialmente i risultati eccezionali sono stati osservati incisione dielettrica del plasma con Xe ed in AR come il gas inerte e dilutants. In plasma il dielettrico che lo incide è importante da controllare le chimiche del plasma per equilibrare le specie del deposito ed incisione.