C4F6 inodori intossicano i prodotti puri rispettosi dell'ambiente del gas per chimica incissione all'acquaforte

Gas rispettoso dell'ambiente del gas C4F6 per chimica incissione all'acquaforte

Descrizione:

Hexafluoro-1,3-butadiene (C4F6) è un gas relativamente nuovo incissione all'acquaforte per la fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore, particolarmente nei processi critici incissione all'acquaforte che hanno bisogno di alti allungamenti e selettività. Può da combinare il rendimento elevato molto con una conseguenza sull'ambiente benigna. Questo gas è diventato soltanto recentemente disponibile su una scala industriale ed abbiamo avvertito l'esigenza aumentare i dati in nostro possesso sul suo comportamento sia nella camera del plasma che nei delivery system del gas.

Le intensità dello ione e le densità di corrente dello ione totale assoluto hanno misurato entrambi per scarico generato in C4F6 puro ed in miscela con l'argon. Inoltre, il rapporto delle densità radicali riguardante i CF misurati usando le misure di spettroscopia di assorbimento di sotto-millimetro e della spettroscopia di emissione ottica è presentato per parecchi pressioni del gas e rapporti del miscuglio di gas. Un confronto con c-C4F8 è fatto.

La compatibilità materiale di questo gas, che mostrano come questo gas “esotico” può essere trattata con i materiali standard. I benefici più significativi di gas C4F6 diventano evidenti dalla sua prestazione dimostrata per una gamma di processi avanzati sempre più richiedenti incissione all'acquaforte che richiedono l'alta selettività concomitante a 193 photoresists di nanometro, a hardmasks ed a vari underlayers mentre conservano il controllo critico di profilo e di dimensione. I vantaggi di C4F6 hanno basato i processi incissione all'acquaforte, quale l'alto contatto/via di allungamento incissione all'acquaforte, alta maschera di selettività aperta ed i processi damascene doppi incissione all'acquaforte, sviluppati etcher dielettrico dei materiali applicati e le analisi dei dati delle emissioni di PFC sono discussi.

STABILITÀ E REATTIVITÀ

INFORMAZIONI TOSSICOLOGICHE

Applicazioni:

1. Una nuova generazione di gas incisione a semiconduttore.

plasmi alternativi del gas 2.Perfluorocarbon per incissione all'acquaforte del foro del contatto.

3.Plasma che incide i processi per i dispositivi del micron del Sotto-quarto: